5mm紫光燈(deng)電(dian)壓是多少?

led燈珠紫(zi)(zi)光燈(deng)珠(zhu)(zhu): 比如3mm紫(zi)(zi)光led, 5mm紫(zi)(zi)光,2835紫(zi)(zi)光燈(deng)珠(zhu)(zhu),5630紫(zi)(zi)光燈(deng)珠(zhu)(zhu),電(dian)壓多(duo)在2.8-3.5伏之間。

LED燈(deng)珠紅光電(dian)壓(ya)一般(ban)是1.8V-2.2V。

LED燈珠白(bai)光電壓(ya)一般是2.8V-3.3V。

LED燈珠黃綠光電壓(ya)一般(ban)是(shi)1.8V-2.2V。

LED燈珠翠綠光電壓一般(ban)是2.8V-3.3V.

LED燈(deng)珠橙光電壓一(yi)般是1.9V-2.4V

LED燈珠藍光電(dian)壓一般(ban)是3.0V-3.4V

LED燈(deng)珠(zhu)紫光電壓一般是(shi)3.0V-3.4V

LED燈珠粉色光電壓(ya)一般是3.0V-3.4V

LED紅(hong)外燈(deng)珠電(dian)壓一般是1.3-1.8V

一(yi)般小LED工作電(dian)流是(shi)10mA，電(dian)壓(ya)1.6V左右。 LED ，英文light emitting diode的(de)簡稱，又稱發(fa)光(guang)二極(ji)管。它(ta)的(de)基本結構是(shi)一(yi)塊電(dian)致發(fa)光(guang)的(de)半導(dao)(dao)體材料，是(shi)一(yi)種固態的(de)半導(dao)(dao)體器件，它(ta)可以直接(jie)把(ba)電(dian)轉化為光(guang)。置(zhi)于一(yi)個有引線(xian)(xian)的(de)架子上，然后四(si)周用環氧(yang)樹(shu)脂密(mi)封，起到保護內部芯(xin)線(xian)(xian)的(de)作用，所以LED的(de)抗震性(xing)能好(hao)。LED的(de)心(xin)臟是(shi)一(yi)個半導(dao)(dao)體的(de)晶(jing)(jing)片，晶(jing)(jing)片的(de)一(yi)端(duan)附在(zai)一(yi)個支架上，一(yi)端(duan)是(shi)負極(ji)，另一(yi)端(duan)連接(jie)電(dian)源的(de)正極(ji)，使整個晶(jing)(jing)片被環氧(yang)樹(shu)脂封裝起來(lai)。

紫色(se)led燈(deng)珠中得(de)到的(de)白色(se)led燈(deng)珠的(de)優點(dian)

1、顯(xian)色(se)(se)(se)指(zhi)(zhi)數(shu)高度。該白色(se)(se)(se)led燈珠通過紫色(se)(se)(se)led燈珠激發熒光體得到(dao)藍色(se)(se)(se)光，藍色(se)(se)(se)光的(de)峰(feng)值強度不太(tai)高。另外，可見光因為(wei)也(ye)可以輸出波長(chang)范圍內(nei)的(de)全部光，所以顯(xian)色(se)(se)(se)指(zhi)(zhi)數(shu)更高，能夠實現太(tai)陽(yang)光那樣的(de)理想的(de)白色(se)(se)(se)。另外，紅色(se)(se)(se)顯(xian)色(se)(se)(se)指(zhi)(zhi)數(shu)“R9”特別高，平均顯(xian)色(se)(se)(se)指(zhi)(zhi)數(shu)“（Ra”也(ye)達(da)到(dao)了95。

2、發光(guang)效率高。

（1）紫(zi)色led燈珠芯片是三(san)角(jiao)形(xing)，通常(chang)led燈珠芯片的(de)形(xing)狀是方(fang)形(xing)，與此(ci)相比，從三(san)角(jiao)形(xing)led燈珠芯片的(de)發光(guang)(guang)層發出的(de)光(guang)(guang)線向芯片外射(she)出的(de)效(xiao)率(lv)（光(guang)(guang)提取效(xiao)率(lv)）高。由(you)于紫(zi)色led燈珠的(de)晶體質量和光(guang)(guang)提取效(xiao)率(lv)都很高，所(suo)以將光(guang)(guang)輸出除以投入功(gong)率(lv)的(de)“WPE（wall-plug efficiency，電光(guang)(guang)轉換效(xiao)率(lv)”可(ke)以達(da)到84%。另一方(fang)面，通常(chang)的(de)藍色發光(guang)(guang)二(er)極管WPE是50？只不過是60%。

（2）紫(zi)色led燈(deng)珠(zhu)(zhu)是(shi)使用GaN基(ji)板(ban)制(zhi)造的，GaN因(yin)為(wei)在基(ji)板(ban)上層(ceng)疊GaN系(xi)(xi)半導(dao)體而制(zhi)作了紫(zi)色led燈(deng)珠(zhu)(zhu)芯片，所(suo)以“GaN onGaN”型(xing)led燈(deng)珠(zhu)(zhu)、GaN系(xi)(xi)半導(dao)體層(ceng)的結晶品質(zhi)相對較高，所(suo)以紫(zi)色led燈(deng)珠(zhu)(zhu)發(fa)光效率高，且效率提(ti)高速度快。

（3）紫色led燈珠芯(xin)片(pian)是難以(yi)發(fa)生(sheng)“光效率(lv)(lv)(lv)降低droop”的(de)(de)問題。光效率(lv)(lv)(lv)降低是當(dang)為了提高(gao)(gao)發(fa)光強度而增加驅動電流密(mi)度時發(fa)光效率(lv)(lv)(lv)降低的(de)(de)現(xian)象，在(zai)提高(gao)(gao)亮度方面也是大問題。另一方面，GaN onGaN型產品結晶質(zhi)量高(gao)(gao)，與藍(lan)寶(bao)(bao)石基(ji)板(ban)型產品相比，不容易發(fa)生(sheng)光效降低的(de)(de)問題。因(yin)此，與藍(lan)寶(bao)(bao)石底(di)板(ban)型產品相比，GaN底(di)板(ban)型產品的(de)(de)電流密(mi)度為5？可(ke)以(yi)提高(gao)(gao)10倍。

（4）在藍寶石基板上制(zhi)造通(tong)常的(de)藍色led燈珠芯片。GaN由于藍寶石和晶(jing)格(ge)常數等不同，系統(tong)半導(dao)體容易產生被稱為“位錯”的(de)晶(jing)體缺陷(xian)。另一方(fang)面，GaN襯底上幾乎沒有(you)晶(jing)格(ge)常數的(de)差異，很難出現晶(jing)體缺陷(xian)。與(yu)使用(yong)藍寶石基板的(de)產品相(xiang)比，位錯密度可(ke)以減少到約1/1000。