LED燈珠(zhu)和LED芯(xin)片(pian)有什么(me)區別?

LED芯(xin)片是一種(zhong)固態(tai)的(de)(de)半導體器件，它(ta)可以直接把電(dian)轉(zhuan)化為光。它(ta)是LED燈珠的(de)(de)心臟。

而LED燈珠則是將LED芯片的(de)一(yi)(yi)端附在一(yi)(yi)個支架上，一(yi)(yi)端是負極(ji)，另一(yi)(yi)端連接(jie)電源的(de)正極(ji)，使整個晶片被環氧樹脂(zhi)封裝起來而組成的(de)一(yi)(yi)個發光體。

1、兩者的(de)光線(xian)集中度不(bu)同(tong)，射程也不(bu)同(tong)：

LED燈珠(zhu)的(de)角度(du)做的(de)非常小，屬于(yu)光(guang)線(xian)(xian)比較集中，射(she)程的(de)很遠(yuan)，但(dan)是照(zhao)射(she)范圍(wei)有限(xian);而(er)LED貼片的(de)一般(ban)角度(du)做的(de)都很大(da)，屬于(yu)光(guang)線(xian)(xian)比較散亂，照(zhao)射(she)范圍(wei)廣，但(dan)是射(she)程比較近。

2、采用的發光(guang)方式不同：

 LED燈珠是(shi)采用(yong)放電放光(guang)，而LED貼(tie)片采用(yong)於冷性發光(guang)。3、優缺(que)點不同：

LED燈(deng)珠(zhu)：對于(yu)led燈(deng)珠(zhu)，led燈(deng)珠(zhu)外形經歷了(le)直插、貼(tie)片(pian)，隨(sui)著技(ji)術進步(bu)，順理成章地出現了(le)將多個led發(fa)光(guang)芯(xin)片(pian)，高度(du)集成直接封裝在基板上(shang)(shang)(電路(lu)、散熱一(yi)體設計)，形成結(jie)構緊湊、大功率(lv)、超大功率(lv)led發(fa)光(guang)元件(jian)，這就是“COB”(看似一(yi)個燈(deng)珠(zhu)，實際(ji)上(shang)(shang)是一(yi)組燈(deng)珠(zhu))。

LED芯(xin)(xin)片：集(ji)成LED一(yi)般是市(shi)場上對COB光源的一(yi)種別稱(cheng)，但(dan)實際上并不能將COB光源的特點描述清楚(chu)。COB指Chip-On-Board，將小(xiao)功率芯(xin)(xin)片直接封裝(zhuang)到鋁基板(ban)上快(kuai)速(su)散熱，芯(xin)(xin)片面積(ji)小(xiao)，散熱效率高(gao)、驅動電流小(xiao)。因而(er)具有低熱阻、高(gao)熱導的高(gao)散熱性。

相比普通(tong)SMD小功率光(guang)源特點(dian)：亮度(du)更高，熱阻(zu)小(<6℃/W)，光(guang)衰更小，顯(xian)指更高，光(guang)斑完美(mei)，壽命長(chang)。

可靠性Reliability是led燈珠的(de)(de)耐久(jiu)力(li)的(de)(de)測定，主要(yao)典型(xing)的(de)(de)ICled燈珠的(de)(de)生(sheng)命周(zhou)期可以(yi)用(yong)浴缸曲線Bathtub Curve表示(shi)。

如該圖所示(shi)，集成電路的故障原因大致分為三個(ge)階段。

Region（I）被稱為早逝期，這(zhe)個階段led燈珠的(de)失效率急速下降，失效的(de)原因是IC設計和生(sheng)產(chan)過程的(de)缺陷。

Region（II）被(bei)稱為(wei)使用期間(jian)，該(gai)階段led燈(deng)珠的失效率穩定，失效的原因(yin)多為(wei)溫(wen)度變化等隨機。

Region（III）被稱(cheng)為磨損期，這個(ge)階段led燈(deng)(deng)珠(zhu)的失(shi)效率急速上升(sheng)，失(shi)效的原因是led燈(deng)(deng)珠(zhu)長期使用導致的老化等。

軍需產業(ye)級零部件老化篩選

設備壽命測試(shi)

ESD等級、Latchup測(ce)試評價

高溫(wen)成(cheng)分(fen)試(shi)驗(yan)

集成電(dian)路微缺陷分析

包缺陷無損檢測及分析

電氣移動(dong)、熱載波評價分(fen)析(xi)

根據(ju)考試等級分為以(yi)下(xia)種類。

一、使(shi)用壽命測試項目（Life testitems）

EFR：早期失效等級考(kao)試（Early fail Rate Test）

目(mu)的(de)：評估過程的(de)穩定性，加速缺陷的(de)低(di)效(xiao)，消除因(yin)天(tian)生原因(yin)而失(shi)效(xiao)的(de)led燈珠。

試驗條件：在特定(ding)時(shi)間內使溫(wen)度和電壓動態上升led燈珠試驗

失效(xiao)機制：因生產氧化(hua)層缺陷、金屬電鍍(du)、離子污染等而失效(xiao)的材料或工藝缺陷

基準：

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

HTOL/LtoL:高/低溫操作壽命(ming)測試(shi)（High/Low Temperature Operating Life）

目(mu)的(de)：評(ping)估設(she)備在超(chao)熱和超(chao)電(dian)壓下的(de)耐力(li)

測(ce)(ce)試(shi)條件：125℃，1.1VCC，動態測(ce)(ce)試(shi)

失效(xiao)機制：電子遷移(yi)、氧化層(ceng)破裂、相互擴散、不(bu)穩定、離子污染等

引用數據：

在125°C的(de)(de)條件下通過1000小(xiao)時的(de)(de)試(shi)驗(yan)IC保(bao)證(zheng)(zheng)4年(nian)的(de)(de)持(chi)續使(shi)用(yong)，2000小(xiao)時的(de)(de)試(shi)驗(yan)可(ke)以保(bao)證(zheng)(zheng)8年(nian)的(de)(de)持(chi)續使(shi)用(yong)。150℃1000小(xiao)時試(shi)驗(yan)使(shi)用(yong)保(bao)證(zheng)(zheng)8年(nian)、2000小(xiao)時使(shi)用(yong)保(bao)證(zheng)(zheng)28年(nian)

基準：

MIT-STD-883E Method 1005.8

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

二、環境測試項目Environmental testitems

PRE-CON：預(yu)處(chu)理測試（（Precondition Test）

目(mu)的(de)：模(mo)擬使用前在一定濕度(du)、溫度(du)條件下保(bao)存的(de)耐(nai)久力(li)，即IC從生產到(dao)使用之間保(bao)存的(de)可靠(kao)性

THB：加(jia)速式溫濕度(du)及偏壓試驗（Temperature Humidity Bias Test）

目的：ICled燈珠在高溫(wen)、高濕、偏(pian)壓條件下對(dui)濕氣的抵(di)抗能力進行評價，加(jia)速其失(shi)效過程

測試(shi)條件：85℃，85%RH，1.1VCC，Static bias

失(shi)效機制：電解腐蝕

基準：

JESD22-A101-D

EIAJED- 4701-D122

高(gao)加速溫(wen)濕度及偏壓(ya)測試（HAST:Highly AcceleratEDStress Test）

目的：ICled燈珠評價(jia)偏壓(ya)下的高(gao)溫、高(gao)濕、高(gao)氣壓(ya)條件下對(dui)濕度的抵抗能力，加速其失(shi)效過程

 測試條件(jian)：130℃，85%RH，1.1VCC，Static bias，2.3atm

失效機制(zhi)：電離腐蝕，封(feng)裝密(mi)封(feng)性

基準：

JESD22-A110

pCT：高(gao)壓蒸煮試驗PREssure Cook TestAutoclave Test）

目的：ICled燈珠高(gao)溫、高(gao)濕、高(gao)氣壓條件下對(dui)濕度的抵抗(kang)能力進行(xing)評價，加速其失效過程

測試條件：130℃，85%RH，Static bias，15PSIG（2atm

失效機制：化學金屬腐蝕(shi)、封裝密封性

基準：

JESD22-A102

EIAJED- 4701-B123

*HAST和(he)THB的區別在于溫(wen)度(du)高(gao)，實驗時間考慮到壓力因(yin)素(su)可以縮短，但pCT不偏壓，濕度(du)增加。

TCT：高低(di)溫循環測試（Temperature Cycling Test）

目(mu)的(de)：評估(gu)ICled燈珠(zhu)中不(bu)同熱膨脹系數金屬之(zhi)間(jian)界面的(de)接(jie)觸(chu)良率。該方法是將循環(huan)流的(de)空(kong)氣(qi)從高溫(wen)反復變化到低(di)溫(wen)。

試(shi)驗條件：

CONdition B:-55℃ to 125℃

CONdition C: -65℃ to 150℃

失效(xiao)機制：電介質的斷裂(lie)，導體和絕緣體的斷裂(lie)，不同界面的分層

基準：

MIT-STD-883E Method 1010.7

JESD22-A104-A

EIAJED- 4701-B-131

 TST：高(gao)低溫(wen)沖擊(ji)試驗(yan)（ThermAlShock Test）

目的(de)(de)(de)：評估ICled燈珠中不同熱膨脹(zhang)系(xi)數(shu)金屬(shu)之間界面的(de)(de)(de)接觸良率。該方法是由循(xun)環流引起(qi)的(de)(de)(de)液體從(cong)高溫(wen)到低溫(wen)的(de)(de)(de)反復變化。

試驗條件(jian)：

CONdition B: - 55℃ to 125℃

CONdition C: - 65℃ to 150℃

失(shi)效機(ji)制：電介(jie)質(zhi)的(de)斷裂、材料的(de)劣(lie)化bond wires、導(dao)體(ti)的(de)機(ji)械變形(xing)

基準：

MIT-STD-883E Method 1011.9

JESD22-B106

EIAJED- 4701-B-141

*TCT和TST的(de)區別是，TCT偏向package的(de)考試，TST偏向結(jie)晶(jing)園的(de)考試

HTST：高溫儲(chu)藏(zang)試驗（High Temperature Storage Life Test）

目的(de)：ICled燈珠評價實(shi)際使(shi)用前在高(gao)溫條(tiao)件下維(wei)持數年不工作狀態的(de)生(sheng)命時(shi)間

試(shi)驗(yan)條(tiao)件：150℃

失(shi)效(xiao)機制：化學(xue)和擴散效(xiao)果，Au？Al共金(jin)效(xiao)果

基準：

MIT-STD-883E Method 1008.2

JESD22-A103-A

EIAJED- 4701-B111

可焊性試驗（Solderability Test ）

目的：IC leads錫(xi)粘(zhan)合過程中可(ke)靠性的評價

測試(shi)方法(fa)：

第(di)1步：蒸汽老化8小時

第二步：在245℃的錫缽中浸泡5秒

失效標準（Failure Criterion）：至少95%的(de)良(liang)率(lv)

具體的測試條件和估計結(jie)果可以參考以下基(ji)準(zhun)。

MIT-STD-883E Method 2003.7

JESD22-B102

SHTTest：焊(han)接(jie)熱耐久測試(shi)（Solder Heat Resistivity Test）

目的(de)(de)：對瞬間高溫IC靈敏度的(de)(de)評價

試驗(yan)方法：進(jin)入260°C錫缽(bo)10秒

失效標準(zhun)（Failure Criterion）：根據電氣試驗結(jie)果

具體的測(ce)試條(tiao)件(jian)和估(gu)計(ji)結果(guo)可以參(can)考以下(xia)基準。

MIT-STD-883E Method 2003.7

EIAJED- 4701-B106

三、耐久性試驗項目(mu)（Enderance testitems

循環(huan)耐久試(shi)驗（Enderance Cycling Test）

 目的：評(ping)估非易失性memory設備的多次(ci)讀(du)寫后的持續性能(neng)

Test Method：將數據(ju)寫入memory的(de)存(cun)儲(chu)器單(dan)元，刪除數據(ju)，重(zhong)復該過程多次

試(shi)驗條件：室溫(wen)或以(yi)上，每個數據的讀寫次數達到100k~100k

基準：

MIT-STD-883E Method 1033

數據保持力測試（Data Retention Test）

目(mu)的：反復讀(du)寫后，加速非易失性(xing)memory設備存儲節(jie)點的電荷損失

測試(shi)條件：在高溫條件下memory將數據寫入(ru)存儲器單(dan)(dan)元(yuan)后，多(duo)次讀取(qu)驗證單(dan)(dan)元(yuan)的數據

失效機(ji)制：150℃

基準：

MIT-STD-883E Method 1008.2

MIT-STD-883E Method 1033

相同瓦數led燈(deng)是燈(deng)珠好(hao)還是cod集成芯片好(hao)?

當然(ran)是燈(deng)珠(zhu)的(de)好，燈(deng)珠(zhu)的(de)是各自(zi)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)成(cheng)片，對(dui)散熱(re)及(ji)光線均(jun)勻性都有好處(chu)，而且光衰(shuai)更(geng)慢，更(geng)加耐用，cob直(zhi)接用芯(xin)片直(zhi)接封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)的(de)，封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)方式(shi)更(geng)簡便，價格上(shang)也就相對(dui)更(geng)便宜，但質量(liang)上(shang)比不上(shang)用燈(deng)珠(zhu)的(de)。